Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7619DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7619DN
SI7619DN-T1-GE3 Hakkında
SI7619DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Vdss ve 24A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 21mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen SI7619DN, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 50nC gate charge ve düşük input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok