Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7617DN
SI7617DN-T1-GE3 Hakkında
SI7617DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12.3mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, yük anahtarlaması ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 59nC gate charge ve 1800pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 13.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok