Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7615DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7615DN
SI7615DN-T1-GE3 Hakkında
SI7615DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket türü ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç yönetimi, anahtarlama kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok