Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7615BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7615BDN
SI7615BDN-T1-GE3 Hakkında
SI7615BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss rating ile 29A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 104A kapasite (Tc) sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.8mΩ düşük RDS(On) değeri ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, yüksek akımlı yük kontrolü ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ürün, düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4890 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok