Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7601DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7601DN
SI7601DN-T1-E3 Hakkında
SI7601DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. PowerPAK 1212-8 kompakt yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltaj DC/DC konvertörlerde yer almaktadır. 4.5V gate voltajında 19.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmektedir. Bileşen kullanım dışı durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok