Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7495DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7495DP
SI7495DP-T1-GE3 Hakkında
SI7495DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile çalışır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 6.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (140nC @ 5V) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaybı maksimum 1.8W ile sınırlıdır. Bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 21A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok