Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7495DP-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7495DP
SI7495DP-T1-E3 Hakkında
SI7495DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source geriliminde 13A sürekli akım kapasitesine sahip olup, PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 6.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, inverter tasarımları ve düşük gerilim anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılmaktadır. 140nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 21A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok