Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7491DP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7491DP
SI7491DP-T1-E3 Hakkında
SI7491DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 8.5mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 85nC gate yükü (Qg) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve ters kutuplama koruması gibi alanlarda kullanılır. 1.8W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygundur. Ürün üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok