Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7489DP
SI7489DP-T1-GE3 Hakkında
SI7489DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim dayanımı ve 28A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 41mΩ maksimum on-direnci (10V Vgs'de) düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ters kutupluluk koruması gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok