Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7485DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7485DP
SI7485DP-T1-GE3 Hakkında
SI7485DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 12.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.3mΩ on-resistance (4.5V, 20A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda tercih edilir. 150nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok