Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7483ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7483ADP
SI7483ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7483ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5.7mΩ maksimum kapalı-devre direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.9W maksimum güç tüketimiyle termal yönetim gerektiren tasarımlarda uygun seçimdir. Ürün artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok