Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7478DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7478DP
SI7478DP-T1-E3 Hakkında
SI7478DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 15A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (7.5mOhm @ 10V) nedeniyle güç dönüştürme uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.9W güç tüketebilir. Anahtarlama hızı ve kontrol özelliği yüksek olan gate charge (160nC) ile sürücü devrelere uyumlu tasarlanmıştır. Endüstriyel elektronikler, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok