Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7476DP
SI7476DP-T1-GE3 Hakkında
SI7476DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile çalışabilir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 5.3mΩ açık kanal direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Gate şarj kapasitesi 177nC'dir. Bileşen Obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok