Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7465DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7465DP
SI7465DP-T1-GE3 Hakkında
SI7465DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu MOSFET, 64mΩ (10V, 5A koşullarında) maksimum On-direnci ve düşük kapı yükü (40nC @ 10V) özellikleriyle enerji verimli devrelerde tercih edilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol ve batarya yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5W güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok