Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7464DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7464DP
SI7464DP-T1-GE3 Hakkında
SI7464DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (18nC @ 10V) ve 240mOhm on-resistance değerleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, ±20V gate gerilim toleransı ve 10V/6V drive voltage desteği ile DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 1.8W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok