Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7463DP-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7463DP
SI7463DP-T1-E3 Hakkında
SI7463DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 9.2mΩ tipik on-direnci (RDS(on)) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve hızlı sürüş gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Düşük gate yükü (140nC @ 10V) sayesinde sürücü devresi gereksinimlerini azaltır. 1.9W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 18.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok