Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7462DP
SI7462DP-T1-GE3 Hakkında
SI7462DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 130mΩ maksimum on-resistance (Rds) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) maksimum 4V'dur. Güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücülerinde kullanıma uygundur. Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok