Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7462DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7462DP
SI7462DP-T1-E3 Hakkında
SI7462DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj desteği ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım sağlar. 130mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları ve 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motorcontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok