Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7461DP
SI7461DP-T1-E3 Hakkında
SI7461DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 8.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V'da 14.5mΩ) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve gerilim regülatör tasarımlarında kullanılır. 190nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar ve maksimum 1.9W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 14.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok