Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7459DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7459DP

SI7459DP-T1-GE3 Hakkında

SI7459DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 10V sürücü voltajında 6.8mOhm on-direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajı paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Anahtar devreler, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum gate charge değeri 170nC olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok