Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7456DDP
SI7456DDP-T1-GE3 Hakkında
SI7456DDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 27.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 23mOhm maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü (29.5nC) ve düşük input kapasitanası (900pF) bu bileşeni hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun kılar. Dc-dc dönüştürücüler, güç yönetim devreleri, motor kontrol ve ağır akım anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 35.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok