Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7456CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7456CDP
SI7456CDP-T1-GE3 Hakkında
SI7456CDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 27.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 23.5mOhm'luk düşük açık direnci sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama düzenleri ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve maksimum 35.7W güç saçılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 35.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok