Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7454DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7454DP
SI7454DP-T1-GE3 Hakkında
SI7454DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim sınırlaması ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. PowerPAK SO-8 yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlar için tercih edilir. 34mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. ±20V maksimum Gate-Source gerilim toleransı ile geniş sürü karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok