Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7452DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7452DP
SI7452DP-T1-GE3 Hakkında
SI7452DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun olarak tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket tipinde sunulmaktadır. Düşük 8.3mOhm on-resistance değeri ile enerji verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 19.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok