Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7450DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7450DP
SI7450DP-T1-GE3 Hakkında
SI7450DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 80mOhm maksimum on-state direnci ile karakterize edilmiştir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (42nC @ 10V) ve 1.9W maksimum güç tüketimi özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok