Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7450DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7450DP
SI7450DP-T1-E3 Hakkında
SI7450DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket ile PCB'ye direkt monte edilebilir. Düşük 80mOhm on-state direnci (Rds On) ve 42nC gate yükü ile enerji verimliliği sağlar. Anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.9W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok