Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7447ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK 1212-8
Seri / Aile Numarası
SI7447ADP

SI7447ADP-T1-GE3 Hakkında

SI7447ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6.5mΩ maximum on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Düşük gate charge (150nC @ 10V) hızlı anahtarlama operasyonları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switching ve ters polarite koruması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 83.3W (Tc) güç yayılımı kapasitesi sayesinde yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4650 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok