Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7445DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7445DP
SI7445DP-T1-GE3 Hakkında
SI7445DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V maksimum dren-kaynak gerilimi ile 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 7.7mΩ ON direnci ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. Gate yükü 140nC ve ±8V maksimum gate-kaynak gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve ters kutup koruması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.9W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 19A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok