Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7439DP
SI7439DP-T1-GE3 Hakkında
SI7439DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajı ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 90mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) nedeniyle endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama hızı ve minimum kapı yükü özellikleri ile şarj kontrolü, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok