Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7434DP-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7434DP
SI7434DP-T1-E3 Hakkında
SI7434DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 155mΩ maksimum Rds(on) değeri ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve elektrik yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 50nC gate charge ve 4V threshold gerilimi sayesinde hızlı ve güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok