Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7431DP-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7431DP
SI7431DP-T1-E3 Hakkında
SI7431DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. PowerPAK® SO-8 yüzeye monte paketine sahip olan SI7431DP, 10V gate sürücü geriliminde 174mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Güç yönetimi, LED sürücüleri, battery management sistemleri ve industrial kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 174mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok