Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7425DN-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7425DN
SI7425DN-T1-E3 Hakkında
SI7425DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 12V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.5W güç dağıtabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, solenoid kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanım için uygundur. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 12.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok