Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7415DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7415DN
SI7415DN-T1-GE3 Hakkında
SI7415DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 3.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 65mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok