Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7415DN
SI7415DN-T1-E3 Hakkında
SI7415DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, PowerPAK 1212-8 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 65mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, 1.5W güç dissipasyonu kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama hızı ve enerji verimliliği gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilen bir çözümdür. 25nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok