Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7414DN
SI7414DN-T1-GE3 Hakkında
SI7414DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5.6A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sunar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.5W maksimum güç tüketimi ile ısı yönetimi açısından ekonomiktir. ±20V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok