Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7413DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7413DN
SI7413DN-T1-E3 Hakkında
SI7413DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 15mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya şarj sistemlerinde kullanılır. 51nC gate charge ve 1.8V-4.5V drive voltage aralığı ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Maksimum 1.5W güç tüketimi ile verimli çalışır. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 13.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok