Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7411DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7411DN
SI7411DN-T1-GE3 Hakkında
SI7411DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4.5V gate geriliminde 19mOhm on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında yer alan cihazlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. Gate charge değeri 41nC olup hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok