Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7411DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7411DN
SI7411DN-T1-E3 Hakkında
SI7411DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile maksimum 7.5A sürekli drenaj akımı sağlama kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 19mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sunar. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 41nC gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Üretim durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok