Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7409ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7409ADN
SI7409ADN-T1-GE3 Hakkında
SI7409ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile low-side switching uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 19mOhm maksimum on-direnci (4.5V, 11A şartlarında) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI7409ADN, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri, güç dağıtımı ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge değeri (40nC @ 4.5V) hızlı switching operasyonlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok