Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7409ADN
SI7409ADN-T1-E3 Hakkında
SI7409ADN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve akım kontrolü işlevlerini yerine getirir. 4.5V gate geriliminde 19mOhm Ron değeri sayesinde düşük açılış direnci sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler, batarya kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate yükü 40nC olup, hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok