Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7407DN
SI7407DN-T1-GE3 Hakkında
SI7407DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source voltajında 9.9A sürekli akım yeteneğine sahiptir. 4.5V gate voltajında 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama karakteristiklerine sahiptir. 59nC gate charge değeri ile kontrol devresine düşük yük uygulanmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, power management, DC-DC dönüştürücüler, yüksek akım anahtarlama uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. Maksimum 1.5W güç tüketimi ile termal yönetim açısından uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün EOL (End of Life) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok