Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7407DN-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK 1212-8
Seri / Aile Numarası
SI7407

SI7407DN-T1-E3 Hakkında

SI7407DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 9.9A sürekli drenaj akımı ile elektrik anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük 12mΩ RDS(on) direnci sayesinde minimal güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynağı uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok