Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7404DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7404DN
SI7404DN-T1-GE3 Hakkında
SI7404DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. 13mΩ (10V, 13.3A şartlarında) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Dört çeşitli sürücü gerilim seçeneği (2.5V, 10V) ile esneklik sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon gösterir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Lojik seviye sürüşü için uygun düşük eşik gerilimi (1.5V @ 250µA) özelliktedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 13.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok