Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7402DN
SI7402DN-T1-GE3 Hakkında
SI7402DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 13A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 5.7mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve portable elektronik cihazlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 1.5W güç dissipasyonu özelliğiyle etkin termal yönetim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok