Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7402DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7402DN
SI7402DN-T1-E3 Hakkında
SI7402DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 5.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket tipi ile kompakt tasarımlara uyumludur. Gate eşik gerilimi 850mV olup, ±8V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyal kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Maksimum 1.5W güç tüketimi ile kontrollü ısıl tasarımlara uygundur. Parça mevcut olarak Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok