Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7392ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7392ADP
SI7392ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7392ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolörlerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve enerji verimliliğinin önemli olduğu endüstriyel uygulamalarda yer alır. 7.5mΩ (10V, 12.5A) düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Komponentin üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1465 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 27.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok