Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7392ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7392ADP

SI7392ADP-T1-E3 Hakkında

SI7392ADP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V-10V aralığında drive voltajında çalışır, 38nC gate charge ve 1465pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sunur. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 27.5W güç saçma kapasitesi (Tc'de) ile termal yönetimi destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1465 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok