Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7388DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7388DP

SI7388DP-T1-E3 Hakkında

SI7388DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 7mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 24nC olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum sağlar. 1.9W maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitansa sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok