Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI7386DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI7386DP
SI7386DP-T1-E3 Hakkında
SI7386DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi, 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 18nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği ile düşük kontrol gücü gereksinimini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok