Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI7384DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SI7384DP

SI7384DP-T1-E3 Hakkında

SI7384DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. 8.5mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ve düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok